Tekniset tiedot

• sarja
  eGaN®
• paketti
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  GaNFET (Gallium Nitride)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  200 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  48A (Ta)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  5V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  8mOhm @ 20A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 7mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  11 nC @ 5 V
• vgs (max)
  +6V, -4V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1140 pF @ 100 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  -
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  Die
• paketti/laukku
  Die