Tekniset tiedot

• sarja
  HEXFET®
• paketti
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  150 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  4.4A (Ta), 18A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  56mOhm @ 11A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 100µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  32 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1360 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  2.7W (Ta), 45W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  DIRECTFET™ M2
• paketti/laukku
  DirectFET™ Isometric M2