Tekniset tiedot

• sarja
  HEXFET®
• paketti
  Tape & Reel (TR)
• osan tila
  Obsolete
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  40 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  330 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  DIRECTFET L8
• paketti/laukku
  DirectFET™ Isometric L8