IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Valmistaja

IR (Infineon Technologies)

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3

Tekniset tiedot

  • sarja
    CoolMOS™ CE
  • paketti
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    500 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    3.1A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    13V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 900mA, 13V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 70µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    178 pF @ 100 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    42W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • toimittajan laitepaketti
    PG-TO252-3
  • paketti/laukku
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50R1K4CEAUMA1 Pyydä tarjous

Varastossa 38000
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.54000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.54000

Datasheet