Tekniset tiedot

• sarja
  CoolMOS™ P7
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  700 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  3A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  2Ohm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 30µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  3.8 nC @ 400 V
• vgs (max)
  ±16V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  130 pF @ 400 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  17.6W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  PG-TO251-3-347
• paketti/laukku
  TO-251-3 Stub Leads, IPak