Tekniset tiedot

• sarja
  CoolMOS™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  800 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 700µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  250 pF @ 500 V
• fet-ominaisuus
  Super Junction
• tehohäviö (max)
  32W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  PG-TO251-3
• paketti/laukku
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA