Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• ohjattu kokoonpano
  Half-Bridge
• kanavan tyyppi
  Independent
• kuljettajien määrä
  2
• portin tyyppi
  IGBT, N-Channel MOSFET
• jännite - syöttö
  10V ~ 20V
• logiikkajännite - vil, vih
  0.8V, 2.7V
• virta - huipputeho (lähde, nielu)
  1.9A, 2.3A
• syötteen tyyppi
  Non-Inverting
• korkea sivujännite - max (bootstrap)
  600 V
• nousu / lasku aika (tyyppi)
  40ns, 20ns
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• toimittajan laitepaketti
  8-PDIP