IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

Valmistaja

IR (Infineon Technologies)

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - taulukot

Kuvaus

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

Tekniset tiedot

  • sarja
    HEXFET®
  • paketti
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • osan tila
    Not For New Designs
  • fet tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • fet-ominaisuus
    Logic Level Gate
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    30V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    9.7A
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.35V @ 25µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    760pF @ 15V
  • teho - max
    2W
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • toimittajan laitepaketti
    8-SO

IRF8313TRPBF Pyydä tarjous

Varastossa 29120
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.71000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.71000

Datasheet