Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  -
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  1700 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  42 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  265 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  6V @ 15V, 21A
• teho - max
  357 W
• vaihtoenergiaa
  3.43mJ (on), 430µJ (off)
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  188 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  19ns/200ns
• testi kunto
  850V, 21A, 1Ohm, 15V
• käänteinen palautumisaika (trr)
  330 ns
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  TO-247-3
• toimittajan laitepaketti
  TO-247AD (IXBH)