Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  -
• kokoonpano
  Full Bridge
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  3000 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  34 A
• teho - max
  150 W
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• virta - kollektorin katkaisu (max)
  -
• tulokapasitanssi (cies) @ vce
  -
• syöttö
  Standard
• ntc termistori
  No
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  24-SMD Module, 9 Leads
• toimittajan laitepaketti
  24-SMPD