Tekniset tiedot

• sarja
  *
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  800 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  13A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  650mOhm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 1mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  225 nC @ 10 V
• vgs (max)
  -
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  3700 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  -
• Käyttölämpötila
  -
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  D3 [S]
• paketti/laukku
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA