NTE2018

NTE2018

Valmistaja

NTE Electronics, Inc.

tuotekategoria

transistorit - bipolaarinen (bjt) - taulukot

Kuvaus

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Bag
  • osan tila
    Active
  • transistorin tyyppi
    8 NPN Darlington
  • virta - kollektori (ic) (max)
    600mA
  • jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
    50V
  • vce saturaatio (max) @ ib, ic
    1.6V @ 350mA, 500A
  • virta - kollektorin katkaisu (max)
    -
  • tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce
    -
  • teho - max
    1W
  • taajuus - siirtymä
    -
  • Käyttölämpötila
    -20°C ~ 85°C (TA)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • paketti/laukku
    18-DIP (0.300", 7.62mm)
  • toimittajan laitepaketti
    18-PDIP

NTE2018 Pyydä tarjous

Varastossa 8871
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
3.81000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:3.81000