Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Bag
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  100 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  20A
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  5V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±15V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  Logic Level Gate, 4V Drive
• tehohäviö (max)
  105W (Tc)
• Käyttölämpötila
  175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  TO-220
• paketti/laukku
  TO-220-3