Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tray
• osan tila
  Active
• diodityyppi
  Silicon Carbide Schottky
• jännite - dc taaksepäin (vr) (max)
  1200 V
• virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io)
  61A (DC)
• jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos
  1.75 V @ 40 A
• nopeus
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• käänteinen palautumisaika (trr)
  0 ns
• virta - käänteinen vuoto @ vr
  200 µA @ 1200 V
• kapasitanssi @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  Die
• toimittajan laitepaketti
  Die
• käyttölämpötila - risteys
  -55°C ~ 175°C