71V65603S133BG8

71V65603S133BG8

Valmistaja

Renesas Electronics America

tuotekategoria

muisti

Kuvaus

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tape & Reel (TR)
  • osan tila
    Active
  • muistin tyyppi
    Volatile
  • muistimuoto
    SRAM
  • teknologiaa
    SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • muistin koko
    9Mb (256K x 36)
  • muistin käyttöliittymä
    Parallel
  • kellotaajuus
    133 MHz
  • kirjoitusjakson aika - sana, sivu
    -
  • kirjautumisaika
    4.2 ns
  • jännite - syöttö
    3.135V ~ 3.465V
  • Käyttölämpötila
    0°C ~ 70°C (TA)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    119-BGA
  • toimittajan laitepaketti
    119-PBGA (14x22)

71V65603S133BG8 Pyydä tarjous

Varastossa 3525
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
19.75610
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:19.75610

Datasheet