BSO211P

BSO211P

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - taulukot

Kuvaus

P-CHANNEL POWER MOSFET

Tekniset tiedot

  • sarja
    OptiMOS™
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    2 P-Channel (Dual)
  • fet-ominaisuus
    Logic Level Gate
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    20V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    4.7A
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.2V @ 25µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    23.9nC @ 4.5V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    920pF @ 15V
  • teho - max
    2W
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • toimittajan laitepaketti
    P-DSO-8

BSO211P Pyydä tarjous

Varastossa 35358
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.29000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.29000