Tekniset tiedot

• sarja
  Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  30 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  50A (Ta)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  9.8mOhm @ 12A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.8V @ 1mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  30.5 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±16V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1760 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  80W (Ta)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  DPAK
• paketti/laukku
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63