BUK7E11-55B,127

BUK7E11-55B,127

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

Tekniset tiedot

  • sarja
    TrenchMOS™
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    55 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    75A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    11mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1mA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    37 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    2.604 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    157W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    I2PAK
  • paketti/laukku
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

BUK7E11-55B,127 Pyydä tarjous

Varastossa 25508
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.81000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.81000