FQPF9N25CT

FQPF9N25CT

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F

Tekniset tiedot

  • sarja
    QFET®
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    250 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    8.8A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    430mOhm @ 4.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    710 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    38W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    TO-220F
  • paketti/laukku
    TO-220-3 Full Pack

FQPF9N25CT Pyydä tarjous

Varastossa 38637
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.53000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.53000

Datasheet