-
-
Alhainen hinta Factory-Directin kautta
Työskentele suoraan elektroniikkatehtaan kanssa välimiehen poistamiseksi. Uusi alkuperäinen edulliseen hintaan
-
Turvallinen ja laadukas Luotettavuus
Laadukas vakuutusjärjestelmä tuotteiden erinomaisesta laadusta. Laadukkaiden komponenttien toimitus ajallaan ja joka kerta.
-
Yli 15 miljoonaa varastoa
100+ kuuluisinta maailmanlaajuista valmistajaa, yli 15 miljoonaa varastoa. Saatavilla varastossa, joka tukee ostoa suoraan alennushinnalla.
-
Asiakasystävälliset palvelut
Yhden luukun ratkaisu, joka on räätälöity yksilöllisiin tarpeisiisi. Tuki 12 kielellä verkkosivustolla, lisää mukavuutta ja nopeaa palvelua.
IR25606SPBF
Valmistaja
tuotekategoria
Kuvaus
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI
RFQ Sähköposti: [email protected] or Tiedustelut netistä
Tekniset tiedot
-
sarja-
-
pakettiBulk
-
osan tilaActive
-
ohjattu kokoonpanoHalf-Bridge
-
kanavan tyyppiIndependent
-
kuljettajien määrä2
-
portin tyyppiIGBT, N-Channel MOSFET
-
jännite - syöttö10V ~ 20V
-
logiikkajännite - vil, vih0.8V, 2.9V
-
virta - huipputeho (lähde, nielu)200mA, 350mA
-
syötteen tyyppiNon-Inverting
-
korkea sivujännite - max (bootstrap)600 V
-
nousu / lasku aika (tyyppi)150ns, 50ns
-
Käyttölämpötila-40°C ~ 150°C (TJ)
-
asennustyyppiSurface Mount
-
paketti/laukku8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
toimittajan laitepaketti8-SOIC
