Tekniset tiedot

• sarja
  HEXFET®
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  P-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  150 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  5.5A
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  -
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (max)
  -
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  -
• fet-ominaisuus
  Standard
• tehohäviö (max)
  75W
• Käyttölämpötila
  -
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  TO-204AE
• paketti/laukku
  TO-204AE