IRGP4750DPBF

IRGP4750DPBF

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - igbts - yksittäinen

Kuvaus

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • igbt tyyppi
    -
  • jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
    650 V
  • virta - kollektori (ic) (max)
    70 A
  • virta - kollektorin pulssi (icm)
    105 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 35A
  • teho - max
    273 W
  • vaihtoenergiaa
    1.3mJ (on), 500µJ (off)
  • syötteen tyyppi
    Standard
  • portin maksu
    105 nC
  • td (päällä/pois) @ 25°c
    50ns/105ns
  • testi kunto
    400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • käänteinen palautumisaika (trr)
    150 ns
  • Käyttölämpötila
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • paketti/laukku
    TO-247-3
  • toimittajan laitepaketti
    TO-247AC

IRGP4750DPBF Pyydä tarjous

Varastossa 9348
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
3.59000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:3.59000

Datasheet