IRGS4715DPBF

IRGS4715DPBF

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - igbts - yksittäinen

Kuvaus

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • igbt tyyppi
    -
  • jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
    650 V
  • virta - kollektori (ic) (max)
    21 A
  • virta - kollektorin pulssi (icm)
    24 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 8A
  • teho - max
    100 W
  • vaihtoenergiaa
    200µJ (on), 90µJ (off)
  • syötteen tyyppi
    Standard
  • portin maksu
    30 nC
  • td (päällä/pois) @ 25°c
    30ns/100ns
  • testi kunto
    400V, 8A, 50Ohm, 15V
  • käänteinen palautumisaika (trr)
    86 ns
  • Käyttölämpötila
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • toimittajan laitepaketti
    D2PAK

IRGS4715DPBF Pyydä tarjous

Varastossa 18229
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.15000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.15000

Datasheet