-
-
Alhainen hinta Factory-Directin kautta
Työskentele suoraan elektroniikkatehtaan kanssa välimiehen poistamiseksi. Uusi alkuperäinen edulliseen hintaan
-
Turvallinen ja laadukas Luotettavuus
Laadukas vakuutusjärjestelmä tuotteiden erinomaisesta laadusta. Laadukkaiden komponenttien toimitus ajallaan ja joka kerta.
-
Yli 15 miljoonaa varastoa
100+ kuuluisinta maailmanlaajuista valmistajaa, yli 15 miljoonaa varastoa. Saatavilla varastossa, joka tukee ostoa suoraan alennushinnalla.
-
Asiakasystävälliset palvelut
Yhden luukun ratkaisu, joka on räätälöity yksilöllisiin tarpeisiisi. Tuki 12 kielellä verkkosivustolla, lisää mukavuutta ja nopeaa palvelua.
NCP5901MNTBG
Valmistaja
tuotekategoria
Kuvaus
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
RFQ Sähköposti: [email protected] or Tiedustelut netistä
Tekniset tiedot
-
sarja-
-
pakettiBulk
-
osan tilaActive
-
ohjattu kokoonpanoHalf-Bridge
-
kanavan tyyppiSynchronous
-
kuljettajien määrä2
-
portin tyyppiN-Channel MOSFET
-
jännite - syöttö4.5V ~ 13.2V
-
logiikkajännite - vil, vih1V, 2V
-
virta - huipputeho (lähde, nielu)-
-
syötteen tyyppiNon-Inverting
-
korkea sivujännite - max (bootstrap)35 V
-
nousu / lasku aika (tyyppi)16ns, 11ns
-
Käyttölämpötila0°C ~ 150°C (TJ)
-
asennustyyppiSurface Mount
-
paketti/laukku8-VFDFN Exposed Pad
-
toimittajan laitepaketti8-DFN (2x2)
