NDS9953A

NDS9953A

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - taulukot

Kuvaus

P-CHANNEL POWER MOSFET

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    2 P-Channel (Dual)
  • fet-ominaisuus
    Logic Level Gate
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    30V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    2.9A
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    130mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.8V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    25nC @ 10V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    350pF @ 10V
  • teho - max
    900mW
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • toimittajan laitepaketti
    8-SOIC

NDS9953A Pyydä tarjous

Varastossa 36036
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.57000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.57000

Datasheet