NGB8206NT4G

NGB8206NT4G

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - igbts - yksittäinen

Kuvaus

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tekniset tiedot

  • sarja
    *
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Obsolete
  • igbt tyyppi
    -
  • jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
    390 V
  • virta - kollektori (ic) (max)
    20 A
  • virta - kollektorin pulssi (icm)
    -
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 4.5V, 20A
  • teho - max
    150 W
  • vaihtoenergiaa
    -
  • syötteen tyyppi
    Logic
  • portin maksu
    -
  • td (päällä/pois) @ 25°c
    -
  • testi kunto
    -
  • käänteinen palautumisaika (trr)
    -
  • Käyttölämpötila
    -
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • paketti/laukku
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • toimittajan laitepaketti
    D2PAK

NGB8206NT4G Pyydä tarjous

Varastossa 19261
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.09000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.09000

Datasheet