Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  30 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  8.9A (Ta), 52A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  4.5V, 10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  5.5mOhm @ 20A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.2V @ 250µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  28 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1.979 pF @ 15 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  850mW (Ta), 29.8W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  8-WDFN (3.3x3.3)
• paketti/laukku
  8-PowerWDFN