Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  600 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  50A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  15V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  83mOhm @ 25A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  7V @ 5mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  120 nC @ 15 V
• vgs (max)
  ±30V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  4500 pF @ 100 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  120W (Tc)
• Käyttölämpötila
  150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  TO-3PF
• paketti/laukku
  TO-3P-3 Full Pack