SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

Valmistaja

Vishay / Siliconix

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

Tekniset tiedot

  • sarja
    TrenchFET®
  • paketti
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    30 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    6.2A (Ta)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    4.5V, 10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    24mOhm @ 8.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    -
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    1.5W (Ta)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • toimittajan laitepaketti
    8-SO
  • paketti/laukku
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI9410BDY-T1-E3 Pyydä tarjous

Varastossa 4062
Määrä:
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0

Datasheet