Tekniset tiedot

• sarja
  C2M™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Not For New Designs
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1700 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  20V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (max)
  +25V, -10V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  520W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  TO-247-4
• paketti/laukku
  TO-247-4