Tekniset tiedot

• sarja
  C3M™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1200 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  7.2A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  15V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 1mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  13 nC @ 15 V
• vgs (max)
  +15V, -4V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  345 pF @ 1000 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  40.8W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  TO-263-7
• paketti/laukku
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA