Tekniset tiedot

• sarja
  eGaN®
• paketti
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet-ominaisuus
  GaNFET (Gallium Nitride)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  30V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  10A (Ta), 40A (Ta)
• rds päällä (max) @ id, vgs
  8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
• teho - max
  -
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  Die
• toimittajan laitepaketti
  Die