Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  NPT
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  3000 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  38 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  120 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• teho - max
  200 W
• vaihtoenergiaa
  -
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  62 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  40ns/166ns
• testi kunto
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• käänteinen palautumisaika (trr)
  1.4 µs
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• toimittajan laitepaketti
  TO-263