Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Not For New Designs
• igbt tyyppi
  -
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  3600 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  70 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  420 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• teho - max
  290 W
• vaihtoenergiaa
  -
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  210 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  46ns/205ns
• testi kunto
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• käänteinen palautumisaika (trr)
  1.7 µs
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• toimittajan laitepaketti
  ISOPLUS i4-PAC™