Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  -
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  3000 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  80 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  280 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 32A
• teho - max
  400 W
• vaihtoenergiaa
  -
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  142 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  -
• testi kunto
  -
• käänteinen palautumisaika (trr)
  1.5 µs
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  TO-247-3
• toimittajan laitepaketti
  TO-247AD (IXBH)