Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  -
• kokoonpano
  Single
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  1700 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  145 A
• teho - max
  625 W
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.1V @ 15V, 75A
• virta - kollektorin katkaisu (max)
  25 µA
• tulokapasitanssi (cies) @ vce
  6.93 nF @ 25 V
• syöttö
  Standard
• ntc termistori
  No
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Chassis Mount
• paketti/laukku
  SOT-227-4, miniBLOC
• toimittajan laitepaketti
  SOT-227B