Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Not For New Designs
• igbt tyyppi
  -
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  3600 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  70 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  220 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• teho - max
  430 W
• vaihtoenergiaa
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  110 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  18ns/238ns
• testi kunto
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• käänteinen palautumisaika (trr)
  1.7 µs
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• toimittajan laitepaketti
  TO-268