Tekniset tiedot

• sarja
  BIMOSFET™
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• igbt tyyppi
  -
• jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
  1700 V
• virta - kollektori (ic) (max)
  80 A
• virta - kollektorin pulssi (icm)
  300 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 42A
• teho - max
  360 W
• vaihtoenergiaa
  -
• syötteen tyyppi
  Standard
• portin maksu
  188 nC
• td (päällä/pois) @ 25°c
  -
• testi kunto
  -
• käänteinen palautumisaika (trr)
  1.32 µs
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• toimittajan laitepaketti
  TO-268