Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  700 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  25A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  -
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (max)
  -
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  -
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  -
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  D3Pak
• paketti/laukku
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA