Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• fet-ominaisuus
  Silicon Carbide (SiC)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1200V (1.2kV)
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  171A (Tc)
• rds päällä (max) @ id, vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.8V @ 2mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  464nC @ 20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  6040pF @ 1000V
• teho - max
  728W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Chassis Mount
• paketti/laukku
  Module
• toimittajan laitepaketti
  SP6-P