Tekniset tiedot

• sarja
  SIPMOS®
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Obsolete
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  600 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  120mA (Ta)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  0V, 10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  45Ohm @ 120mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  1V @ 94µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  4.9 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  146 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  Depletion Mode
• tehohäviö (max)
  1.8W (Ta)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  PG-SOT223-4
• paketti/laukku
  TO-261-4, TO-261AA