Tekniset tiedot

• sarja
  NexFET™
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  25 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  +16V, -12V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  3.1W (Ta)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  8-VSON-CLIP (5x6)
• paketti/laukku
  8-PowerTDFN