FCP190N65F

FCP190N65F

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Tekniset tiedot

  • sarja
    FRFET®, SuperFET® II
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    650 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    20.6A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    190mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 2mA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    78 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    3.225 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    208W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    TO-220-3
  • paketti/laukku
    TO-220-3

FCP190N65F Pyydä tarjous

Varastossa 14310
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.50000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.50000

Datasheet