FDP2710-F085

FDP2710-F085

Valmistaja

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3

Tekniset tiedot

  • sarja
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    250 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    4A (Ta)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    47mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    101 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    5690 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    403W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    TO-220-3
  • paketti/laukku
    TO-220-3

FDP2710-F085 Pyydä tarjous

Varastossa 11794
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
2.75926
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:2.75926

Datasheet