HUF75309D3S

HUF75309D3S

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Tekniset tiedot

  • sarja
    UltraFET™
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    55 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    19A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    70mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    24 nC @ 20 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    350 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    55W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • toimittajan laitepaketti
    D-Pak
  • paketti/laukku
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUF75309D3S Pyydä tarjous

Varastossa 37948
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.27000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.27000

Datasheet