HUF75852G3

HUF75852G3

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Tekniset tiedot

  • sarja
    UltraFET™
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    150 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    75A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    16mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    480 nC @ 20 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    7.69 pF @ 25 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    500W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    TO-247-3
  • paketti/laukku
    TO-247-3

HUF75852G3 Pyydä tarjous

Varastossa 9710
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
5.67000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:5.67000

Datasheet