Tekniset tiedot

• sarja
  CoolSiC™+
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Obsolete
• diodityyppi
  Silicon Carbide Schottky
• jännite - dc taaksepäin (vr) (max)
  600 V
• virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io)
  5A (DC)
• jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos
  2.3 V @ 5 A
• nopeus
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• käänteinen palautumisaika (trr)
  0 ns
• virta - käänteinen vuoto @ vr
  30 µA @ 600 V
• kapasitanssi @ vr, f
  110pF @ 1V, 1MHz
• asennustyyppi
  Surface Mount
• paketti/laukku
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• toimittajan laitepaketti
  PG-TO252-3
• käyttölämpötila - risteys
  -55°C ~ 175°C