Tekniset tiedot

• sarja
  CoolSiC™+
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• diodityyppi
  Silicon Carbide Schottky
• jännite - dc taaksepäin (vr) (max)
  650 V
• virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io)
  12A (DC)
• jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos
  1.7 V @ 12 A
• nopeus
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• käänteinen palautumisaika (trr)
  0 ns
• virta - käänteinen vuoto @ vr
  190 µA @ 650 V
• kapasitanssi @ vr, f
  360pF @ 1V, 1MHz
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  TO-247-3
• toimittajan laitepaketti
  PG-TO247-3
• käyttölämpötila - risteys
  -55°C ~ 175°C