IPA60R299CPXKSA1

IPA60R299CPXKSA1

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31

Tekniset tiedot

  • sarja
    CoolMOS™
  • paketti
    Bulk
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    600 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    11A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    -
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    299mOhm @ 6.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 440µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    29 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    1100 pF @ 100 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    33W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    PG-TO220-3-31 Full Pack
  • paketti/laukku
    TO-220-3 Full Pack

IPA60R299CPXKSA1 Pyydä tarjous

Varastossa 17166
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.23000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.23000

Datasheet