Tekniset tiedot

• sarja
  CoolMOS™
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  650 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  3.9A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  10V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  950mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4.5V @ 200µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  14.1 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  380 pF @ 100 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  36.7W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  PG-TO252-3
• paketti/laukku
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63